2SJ438分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SJ438 |
| 参数属性 | 2SJ438 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET P-CH TO220NIS |
| 功能描述 | P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS) |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
281.06 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 20:00:00 |
| 人工找货 | 2SJ438价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SJ438规格书详情
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
● 4-V gate drive
● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.16 Ω (typ.)
● High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.)
● Low leakage current : IDSS = −100 μA (max) (VDS = −60 V)
● Enhancement mode : Vth = −0.8 to −2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA)
产品属性
- 产品编号：
2SJ438(AISIN,Q,M)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
5A（Tj）
- 安装类型：
通孔
- 供应商器件封装：
TO-220NIS
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 描述：
MOSFET P-CH TO220NIS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
5000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
TOSHIBA |
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NA |
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TOSHIBA |
24+/25+ |
536 |
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TOSHIBA东芝 |
2024 |
TO-220F |
13500 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
TO-220F |
9526 |
询价 | |||
TOS |
23+ |
TO-220F |
25000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-220F |
7500 |
原装现货假一赔十 |
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RENESAS |
24+ |
60000 |
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TOSHIBA |
24+ |
TO220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-220F |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
