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2SJ412中文资料东芝数据手册PDF规格书

2SJ412
厂商型号

2SJ412

功能描述

P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

文件大小

291.4 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-5 23:01:00

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2SJ412规格书详情

DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications

• 4-V gate drive

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 0.15 Ω(typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.7 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS= −100 μA (max) (VDS= −100 V)

• Enhancement mode: Vth = −0.8 to −2.0 V (VDS= −10 V, ID= −1 mA)

产品属性

  • 型号:

    2SJ412

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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