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2SD596	文件：298.88 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
2SD596	文件：327.96 Kbytes Page：3 Pages	0.7A,30VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •HighDCCurrentgain •Complementaryto2SB624	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD596	文件：761.78 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighDCCurrentgain. ●Complimentaryto2SB624	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD596	文件：37.84 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor ■Features ●HighDCCurrentgain. ●Complimentaryto2SB624	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD596	文件：264.94 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Micropackage. ●Complementaryto2SB624PNPTransistor. ●HighDCcurrentgainhFE:200TYP.(VCE=1.0V,IC=100mA) APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SD596	文件：249.87 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD DESCRIPTION The2SD596isdesignedforuseinsmalltypeequipmentespeciallyrecommendedforhybridintegratedcircuitandotherapplications. FEATURES •Micropackage. •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=1.0V,IC=100mA) •ComplementarytoNEC2SB624PNPTransistor.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SD596A	文件：687.33 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTOR AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR MINIMOLD FEATURES •ComplementarytoNEC2SB624PNPTransistor. •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=1.0V,IC=100mA)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD596A	文件：541.69 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIER FEATURES •ComplementarytoNEC2SB624PNPTransistor. •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=1.0V,IC=100mA)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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