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2SD2653KT146中文资料Alldatasheet PDF

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2SD2654TLV功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SD2654TLW功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SD2655WM-TL-E制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,50V,1A,MPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin MPAK T/R

2SD2656T106功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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晶体管资料

  • 型号：

    2SD265

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    800V

  • 最大电流允许值：

    6A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    2

  • 可代换的型号：

    BU212,BU326,BU326A,BU426A,BU526,BUX47,BUY76,BUY84,2N5308,3DD266C,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍数：

    β>15

  • 图片代号：

    E-44

  • vtest：

    800

  • htest：

    999900

  • atest：

    6

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