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2SD2216J	文件：85.8 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE Silicon NPN epitaxial planar type For general amplification Complementary to 2SB1462J ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape 文件：85.8 Kbytes 页数：3 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD2216J	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires	Panasonic 松下	Panasonic
2SD2216J0L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-89，SOT-490；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI3	Panasonic 松下	Panasonic
2SD2216L	文件：39.89 Kbytes Page：2 Pages	For General Amplification Silicon NPN epitaxial planar type For general amplification Complementary to 2SB1462L ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • Mold lead-less type package, allowing downsizing and thinning of the equipment and automatic insertion through the tape packing. 文件：39.89 Kbytes 页数：2 Pages	Panasonic 松下	Panasonic

详细参数

型号：
2SD2216J
功能描述：
TRANS NPN LF 50VCEO .1A SS-MINI
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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更多2SD2216J供应商更新时间2025-12-10 13:30:00

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