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2SD213分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号	2SD213
参数属性	2SD213 封装/外壳为3-SIP；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 50V 1A MT-3
功能描述	isc Silicon NPN Power Transistor
封装外壳	3-SIP
文件大小	263.67 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	ISC
中文名称	无锡固电
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-2-3 19:30:00
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晶体管资料

型号：
2SD213
别名：
2SD213三极管、2SD213晶体管、2SD213晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
110V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDW21C,BDX11,BDY19,BDY74,2N3055,2N3442,2N3773,2N5632,2N5633,3DA74C,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
110
htest：
999900
atest：
10
wtest：
100

产品属性

产品编号：
2SD21330SA
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
170 @ 500mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
3-SIP
供应商器件封装：
MT-3-A1
描述：
TRANS NPN 50V 1A MT-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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