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2SD1899-M-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A DPAK	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD1899-Z	文件：997.37 Kbytes Page：3 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighhFE ●LowVCE(sat)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1899-Z	文件：275.97 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Lowcollectorsaturationvoltage •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Hightransitionfrequencyapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1899-Z	文件：1.35878 Mbytes Page：7 Pages	SILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION The2SD1899-ZisdesignedforAudioFrequencyAmplifierandSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES •HighhFE:hFE=100to400 •LowVCE(sat):VCE(sat)≤0.25V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1899-Z	文件：43.58 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor Features ●LowVCE(sat). ●HighhFE.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1899-Z	文件：56.9 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2SD1899-Z	文件：56.33 Kbytes Page：1 Pages	TO-252Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2SD1899-Z	文件：291.06 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORMP-3 DESCRIPTION 2SD1899-ZisdesignedforAudioFrequencyAmplifierandSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES •HighhFEhFE=100to400 •LowVCE(sat)VCE(sat)=0.3VCE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

产品属性

产品编号：
2SD1899-M-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 150mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 600mA， 2V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
TRANS NPN 60V 3A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1899-M-TP供应商更新时间2025-7-20 9:09:00

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