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2SD1803T	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor 50V, (??5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1803T-E	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High current and high fT • Excellent linearity of hFE • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-applied sets smaller Applications • Relay drivers, high-speed inverters, converters, and ot 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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2SD1803T-E	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1803T-E	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor 50V, (??5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1803T-E	文件：519.36 Kbytes Page：10 Pages	丝印：B1203；Package：TP；High-Current Switching Applications 文件：519.36 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO
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详细参数

型号：
2SD1803T
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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