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2SD1802S-E	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA Bipolar Transistor (–)50V, (–)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector to emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1202/2SD1 文件：100.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1802S-E	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor (–)50V, (–)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector to emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1202/2SD1 文件：100.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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2SD1802S-TL-E	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA Bipolar Transistor (–)50V, (–)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector to emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1202/2SD1 文件：100.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1802S-E	文件：215.03 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor 文件：215.03 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1802S-E	文件：500 Kbytes Page：10 Pages	High-Current Switching Applications 文件：500 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1802S-ETP	文件：500 Kbytes Page：10 Pages	丝印：B1202；Package：TP；High-Current Switching Applications 文件：500 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1802S-TL-E	文件：500 Kbytes Page：10 Pages	High-Current Switching Applications 文件：500 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO
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2SD1802S-TL-ETP-FA	文件：500 Kbytes Page：10 Pages	丝印：D1802；Package：TP-FA；High-Current Switching Applications 文件：500 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO

产品属性

产品编号：
2SD1802S-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
TP
描述：
TRANS NPN 50V 3A TP

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