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2SD1760

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Typ)@IC=2A ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Powerdissipation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SD1760

PowerTransistor(50V,3A)

PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SD1760-Q

NPNTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

2SD1760-R

NPNTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

2SD1760TLR

PowerTransistor(50V,3A)

PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1760TLQ

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    90MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 3A CPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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ROHM/罗姆全新特价2SD1760TLQ即刻询购立享优惠#长期有货
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更多2SD1760TLQ供应商 更新时间2025-7-27 10:12:00