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2SD1758-R	文件：1.07516 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1758	文件：123.08 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD1758	文件：404.23 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1758	文件：176.4 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1758	文件：157.31 Kbytes Page：3 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1758	文件：40.6 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerTransistor Features LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V (IC=2A,IB=0.2A). Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1758	文件：55.6 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SD1758	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,2A) FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1758	文件：107.46 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1758	文件：296.13 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=32V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=82(Min)@IC=0.5A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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