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2SD1410	文件：147.75 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=250V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=4A •HighDCCurrentGain:hFE=2000(Min)@IC=2A,VCE=2V APPLICATIONS •Igniterapplications •Highvoltageswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1410A	文件：146.7 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD1410A	文件：163.87 Kbytes Page：3 Pages	NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(IGNITER,HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS) HighVoltageSwitchingApplications •HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=2V,IC=2A)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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2SD1410

文件：147.75 Kbytes

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iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=250V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=4A •HighDCCurrentGain:hFE=2000(Min)@IC=2A,VCE=2V APPLICATIONS •Igniterapplications •Highvoltageswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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HighVoltageSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(IGNITER,HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS)

HighVoltageSwitchingApplications •HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=2V,IC=2A)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
2SD1410A(F)
制造商：
Toshiba
功能描述：
NPN 250V 6A 2000 TO220NIS Bulk
功能描述：
Trans Darlington NPN 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS

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更多2SD1410A(F)供应商更新时间2025-5-24 11:00:00

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