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2SD1249	文件：40.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Features High collector-base voltage (Emitter open) VCBO 文件：40.96 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1249-251	文件：294.05 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= 0.3A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1249-252	文件：274.99 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= 0.3A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：274.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1249A	文件：53.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For low-freauency power amplification) For low-freauency power amplification ■ Features ● High collector to base voltage VCBO ● N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed circuit board, etc. of small electronic equipment. 文件：53.8 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1249A	文件：40.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Features High collector-base voltage (Emitter open) VCBO 文件：40.96 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1241	文件：259.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：259.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1243	文件：135 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：135 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1245	文件：187.97 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：187.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1247	文件：1.96913 Mbytes Page：3 Pages	T O-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.96913 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD1246	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Large-Current Driving Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SD1249
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
350V
最大电流允许值：
0.75A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUW40,BUW40A,BUW40B,TIP47,TIP48,TIP49,TIP50,2SD5859,2SD5859A,
最大耗散功率：
35W
放大倍数：
图片代号：
B-62
vtest：
350
htest：
30000000
atest：
0.75
wtest：
35

详细参数

型号：
2SD124
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Silicon NPN triple diffusion planar type(For low-freauency power amplification)

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