2SD1060数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
2SD1060 |
参数属性 | 2SD1060 封装/外壳为TO-220-3;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 5A TO220-3 |
功能描述 | 双极晶体管,50V,5A,低 VCE(sat),NPN TO-220-3L |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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2SD1060规格书详情
描述 Description
2SD1060 is a Bipolar Transistor, 50V, 5A, Low VCE(sat), NPN TO-220-3L.
特性 Features
• Low collector-to-emitter saturation voltage : VCE(sat)=0.3V max / IC=3A, IB=0.3A
应用 Application
• Suitable for relay drivers
• High-speed inverters and converters
• General large-current switching
简介
2SD1060属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SD1060晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2SD1060
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:Low VCE(sat)
- VCE(sat) Max (V)
:0.3
- IC Cont. (A)
:5
- VCEO Min (V)
:50
- VCBO (V)
:60
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:100
- hFE Max
:200
- fT Min (MHz)
:30
- PTM Max (W)
:1.75
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SAY |
24+ |
NA/ |
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24+ |
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