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2SD1060数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2SD1060

参数属性

2SD1060 封装/外壳为TO-220-3;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 5A TO220-3

功能描述

双极晶体管,50V,5A,低 VCE(sat),NPN TO-220-3L
TRANS NPN 50V 5A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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2SD1060规格书详情

描述 Description

2SD1060 is a Bipolar Transistor, 50V, 5A, Low VCE(sat), NPN TO-220-3L.

特性 Features

• Low collector-to-emitter saturation voltage : VCE(sat)=0.3V max / IC=3A, IB=0.3A

应用 Application

• Suitable for relay drivers
• High-speed inverters and converters
• General large-current switching

简介

2SD1060属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SD1060晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SD1060

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.3

  • IC Cont. (A)

    :5

  • VCEO Min (V)

    :50

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :100

  • hFE Max

    :200

  • fT Min (MHz)

    :30

  • PTM Max (W)

    :1.75

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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