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2SD1047数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2SD1047

参数属性

2SD1047 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 140V 12A TO3P

功能描述

高功率NPN外延平面双极性晶体管
TRANS NPN 140V 12A TO3P

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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2SD1047规格书详情

描述 Description

The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour.

特性 Features

• High breakdown voltage VCEO = 140 V
• Typical ft = 20 MHz
• Fully characterized at 125 oC

简介

2SD1047属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SD1047晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SD1047

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-3P

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :140

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :200

  • Collector Current_max(A)

    :12

  • Dc Current Gain_min

    :60

  • Dc Current Gain_max

    :200

  • Test Condition for hFE (IC)

    :1

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :5

  • VCE(sat)_max(V)

    :0.7

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :7

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :700

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