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2SC5949-O	文件：134.65 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications PowerAmplifierApplications •Complementaryto2SA2121 •Recommendedforaudiofrequencyamplifieroutputstage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5949	文件：134.98 Kbytes Page：4 Pages	TransistorSiliconNPNTripleDiffusedType PowerAmplifierApplications •Complementaryto2SA2121 •Recommendedforaudiofrequencyamplifieroutputstage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5949	文件：208.12 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentCapability DESCRIPTION •HighCurrentCapability •HighPowerDissipation •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=200V(Min) •ComplementtoType2SA2121 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendedforaudiofrequencyamplifieroutputstage.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5949	文件：134.65 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications •Complementaryto2SA2121 •Recommendedforaudiofrequencyamplifieroutputstage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5949	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SC5949-O
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2SC5949-O供应商更新时间2024-5-16 11:00:00

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