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2SC5949-O | Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • Complementary to 2SA2121 • Recommended for audio frequency amplifier output stage. 文件：134.65 Kbytes 页数：4 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | |
Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • Complementary to 2SA2121 • Recommended for audio frequency amplifier output stage. 文件：134.65 Kbytes 页数：4 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
High Current Capability DESCRIPTION • High Current Capability • High Power Dissipation • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 200V(Min) • Complement to Type 2SA2121 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommended for audio frequency amplifier output stage. 文件：208.12 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
详细参数
- 型号：
2SC5949-O
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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