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2SC5753分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

2SC5753
厂商型号

2SC5753

参数属性

2SC5753 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR

丝印标识

R55

封装外壳

SOT-343F

文件大小

223.67 Kbytes

页面数量

22

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:00:00

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2SC5753规格书详情

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR

MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW)

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD

FEATURES

• Ideal for medium output power amplification

• PO (1 dB) = 18.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 7 dBm

• HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted

• High reliability through use of gold electrodes

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold package

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5753-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.7dB @ 2GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    205mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 30mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    SOT-343F

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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