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2SC5536A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

2SC5536A

参数属性

2SC5536A 封装/外壳为SC-81;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP

功能描述

射频晶体管,NPN 单,12 V,50 mA,fT = 1.7 GHz
RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP

封装外壳

SC-81

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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2SC5536A规格书详情

描述 Description

2SC5536A is RF Transistor, 12 V, 50 mA, fT = 1.7 GHz, NPN Single SSFP for VHF Low-Noise Amplifier, OSC Applications.

特性 Features

• Low-noise : NF=1.8dB typ (f=150MHz)
• High gain : Forward Transfer Gain=16dB typ (f=150MHz)
• Ultrasmall, slim flat-lead package (1.4mm x 0.8mm x 0.6mm)
• Halogen free compliance

简介

2SC5536A属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的2SC5536A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SC5536A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.05

  • VCEO(sus) Min (V)

    :12

  • hFE Min

    :80

  • hFE Max

    :200

  • PTM Max (W)

    :0.1

  • fT Min (MHz)

    :1000

  • NF Typ. (dB)

    :1.8

  • |S21e| 2 Typ. (dB)

    :16

  • Package Type

    :SOT-623/SSFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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