2SC5501A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

厂商型号 |
2SC5501A |
参数属性 | 2SC5501A 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP |
功能描述 | RF Transistor, 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP4 |
封装外壳 | SC-82A,SOT-343 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 20:00:00 |
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2SC5501A规格书详情
描述 Description
2SC5501A is RF Transistor, 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP4 for VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications.
特性 Features
• Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz)
• High gain :Forward Transfer Gain=13dB typ (f=1GHz)
• High cut-off frequency : fT=7GHz typ
• Large allowable collector dissipation : PC=500mW max
简介
2SC5501A属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的2SC5501A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
2SC5501A-4-TR-E
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
10V
- 频率 - 跃迁:
7GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1dB @ 1GHz
- 增益:
13dB
- 功率 - 最大值:
500mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
90 @ 20mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
70mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:
4-MCP
- 描述:
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
24 |
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SOT-343 |
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22+ |
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24+ |
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23+ |
SOT-263 |
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ON |
22+ |
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onsemi |
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