2SC5536中文资料NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF Low-Noise Amplifier , OSC Applications数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
2SC5536 |
参数属性 | 2SC5536 封装/外壳为SC-81;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP |
功能描述 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF Low-Noise Amplifier , OSC Applications |
封装外壳 | SC-81 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 9:06:00 |
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2SC5536规格书详情
简介
2SC5536属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的2SC5536晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
2SC5536A-TL-H
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
1.7GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.8dB @ 150MHz
- 增益:
16dB
- 功率 - 最大值:
100mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 3mA,2V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
50mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-81
- 供应商器件封装:
3-SSFP
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
56000 |
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询价 | |||
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24+ |
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24+ |
SOT723 |
60000 |
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SOT-523 |
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SANYO(三洋) |
24+ |
SOT-523 |
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SOT-523 |
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