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2SC536N数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2SC536N

参数属性

2SC536N 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 0.15A TO92

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
TRANS NPN 50V 0.15A TO92

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 10:28:00

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2SC536N规格书详情

简介

2SC536N属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SC536N晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2SC536NG-NPA-AT

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    280 @ 1mA,6V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.15A TO92

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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