2SC536N中文资料NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
2SC536N |
| 参数属性 | 2SC536N 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 50V 0.15A TO92 |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 13:10:00 |
| 人工找货 | 2SC536N价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC536N规格书详情
简介
2SC536N属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2SC536N晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2SC536NG-NPA-AT
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
280 @ 1mA，6V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
- 供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.15A TO92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO/三洋 |
2406+ |
TO226A |
11260 |
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询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-226-3 TO-92-3 长基体(成形 |
9350 |
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SANYO |
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TO-92 |
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SANYO/三洋 |
23+ |
TO-92 |
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24+ |
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SANYO/三洋 |
23+ |
10+ |
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SANYO |
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SANYO/三洋 |
23+ |
TO92 |
50000 |
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询价 |
