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2SC5347中文资料NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifiers Applications数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2SC5347

参数属性

2SC5347 封装/外壳为TO-243AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifiers Applications
RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP

封装外壳

TO-243AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 16:02:00

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2SC5347规格书详情

简介

2SC5347属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的2SC5347晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

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  • 产品编号:

    2SC5347AF-TD-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    4.7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.8dB @ 1GHz

  • 增益:

    8dB

  • 功率 - 最大值:

    1.3W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    135 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PCP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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