2SC5359中文资料NPN epitaxial silicon transistor\n数据手册MOT规格书
技术参数
- 产品编号：
2SC5359-O(Q)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3PL
- 供应商器件封装：
TO-3P（L）
- 描述：
TRANS NPN 230V 15A TO3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba Semiconductor and Stor |
25+ |
TO-3PL |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO-3PL |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-3PL |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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