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2SC5345E	文件：235.85 Kbytes Page：4 Pages	RF amplifier Description •RFamplifier Features •Highcurrenttransitionfrequency fT=550MHz(Typ.),[VCE=6V,IE=-1mA] •Lowoutputcapacitance: Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] •Lowbasetimeconstantandhighgain •Excellentnoiseresponse	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
2SC5345EF	文件：225.98 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Description •RFamplifier Features •Highcurrenttransitionfrequency fT=550MHz(Typ.),[VCE=6V,IE=-1mA] •Lowoutputcapacitance: Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] •Lowbasetimeconstantandhighgain •Excellentnoiseresponse	AUK AUK	AUK
2SC5345EF	文件：235.85 Kbytes Page：4 Pages	RF amplifier Description •RFamplifier Features •Highcurrenttransitionfrequency fT=550MHz(Typ.),[VCE=6V,IE=-1mA] •Lowoutputcapacitance: Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] •Lowbasetimeconstantandhighgain •Excellentnoiseresponse	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
2SC5345	文件：123.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor(RFamplifier) Description •RFamplifier Features •Highcurrenttransitionfrequency fT=550MHz(Typ.),[VCE=6V,IE=-1mA] •Lowoutputcapacitance: Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] •Lowbasetimeconstantandhighgain •Excellentnoiseresponse	AUK AUK	AUK
2SC5345	文件：190.4 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highcurrenttransitionfrequency ●Lowoutputcapacitance:Cob=1.4pF ●Lowbasetimeconstantandhighgain ●Excellentnoiseresponse APPLICATIONS ●Generalsmallsignalamplifier	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC5345	文件：264.8 Kbytes Page：5 Pages	RFamplifier Description •RFamplifier Features •Highcurrenttransitionfrequency fT=550MHz(Typ.),[VCE=6V,IE=-1mA] •Lowoutputcapacitance: Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] •Lowbasetimeconstantandhighgain •Excellentnoiseresponse	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
2SC5345	文件：496.93 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●RFamplifier ●HighcurrenttransitionfrequencyfT=550MHz(Typ.), [VCE=6V,IE=-1mA] ●Lowoutputcapacitance: Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] ●Lowbasetimeconstantandhighgain ●Excellentnoiseresponse	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC5345	文件：704.06 Kbytes Page：2 Pages	0.02A,30VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURE •RFamplifier •HighcurrenttransitionfrequencyfT=550MHz(Typ.), [VCE=6V,IE=-1mA] •Lowoutputcapacitance:Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] •Lowbasetimeconstantandhighgain •Excellentnoiseresponse	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC5345	文件：264.8 Kbytes Page：5 Pages	RFamplifier	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
2SC5345	文件：898.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Hightransitionfrequency,lowoutputcapacitance. Applications RFamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC5345	文件：163.34 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC5345	文件：603.7 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●RFamplifier ●HighcurrenttransitionfrequencyfT=550MHz(Typ.), [VCE=6V,IE=-1mA] ●Lowoutputcapacitance: Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] ●Lowbasetimeconstantandhighgain ●Excellentnoiseresponse	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC5345	文件：257.279 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●RFamplifier ●HighcurrenttransitionfrequencyfT=550MHz(Typ.), [VCE=6V,IE=-1mA] ●Lowoutputcapacitance: Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] ●Lowbasetimeconstantandhighgain ●Excellentnoiseresponse	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC5345	文件：1.06257 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highcurrenttransitionfrequency ●Lowoutputcapacitance:Cob=1.4pF ●Lowbasetimeconstantandhighgain ●Excellentnoiseresponse APPLICATIONS ●Generalsmallsignalamplifier	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC5345	文件：1.21654 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES RFamplifier HighcurrenttransitionfrequencyfT=550MHz(Typ.), [VCE=6V,IE=-1mA] Lowoutputcapacitance: Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] Lowbasetimeconstantandhighgain Excellentnoiseresponse	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC5345	文件：1.81289 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCurrentTransitionFrequency LowOutputCapacitance LowBaseTimeConstantandHighGain ExcellentNoiseResponse APPLICATIONS RFAmplifier	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC5345M	文件：204.63 Kbytes Page：5 Pages	RFamplifier	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
2SC5345M	文件：204.63 Kbytes Page：5 Pages	RFamplifier Description •RFamplifier Features •Highcurrenttransitionfrequency fT=550MHz(Typ.),[VCE=6V,IE=-1mA] •Lowoutputcapacitance: Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] •Lowbasetimeconstantandhighgain •Excellentnoiseresponse	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
2SC5345N	文件：264.08 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Description •RFamplifier Features •Hightransitionfrequency:fT=550MHz(Typ.)@[VCE=6V,IC=1mA] •Lowoutputcapacitance:Cob=1.4pF(Typ.)@[VCB=6V,IE=0] •Lowbasetimeconstantandhighgain •Excellentnoiseresponse	AUK AUK	AUK
2SC5345SF	文件：115.63 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Description •RFamplifier Features •Highcurrenttransitionfrequency fT=550MHz(Typ.),[VCE=6V,IE=-1mA] •Lowoutputcapacitance: Cob=1.4pF(Typ.)[VCB=6V,IE=0] •Lowbasetimeconstantandhighgain •Excellentnoiseresponse	AUK AUK	AUK

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详细参数

型号：
2SC5345E
制造商：
AUK
制造商全称：
AUK corp
功能描述：
NPN Silicon Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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