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2SC5195-T1数据手册Renesas中文资料规格书

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厂商型号

2SC5195-T1

功能描述

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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2SC5195-T1规格书详情

描述 Description

FEATURES
• Low Voltage Operation, Low Phase Distortion
• Low Noise
   NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz
   NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
• Large Absolute Maximum Collector Current
   IC = 100 mA
• Supercompact Mini Mold Package

特性 Features

• Low Voltage Operation, Low Phase Distortion
• Low Noise
   NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz
   NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
• Large Absolute Maximum Collector Current
   IC = 100 mA
• Supercompact Mini Mold Package 

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