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2SC5193中文资料MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR COMPACT MINI MOLD数据手册Renesas规格书

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厂商型号

2SC5193

功能描述

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR COMPACT MINI MOLD

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 11:33:00

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2SC5193规格书详情

描述 Description

FEATURES
• Low Voltage Operation, Low Phase Distortion
• Low Noise
   NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz
   NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
• Large Absolute Maximum Collector Current
   IC = 100 mA
• Compact Mini Mold Package
   EIAJ: SC-70

特性 Features

• Low Voltage Operation, Low Phase Distortion
• Low Noise
   NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz
   NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
• Large Absolute Maximum Collector Current
   IC = 100 mA
• Compact Mini Mold Package
   EIAJ: SC-70

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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