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2SC5096-R,LF

Package:SC-75,SOT-416;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications ● Low noise figure, high gain. ● NF = 1.8dB, |S21e|2 = 7.5dB (f = 2 GHz)

文件:344.67 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5096FT

Silicon NPN Epitaxial Planar Type VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications

文件:112.75 Kbytes 页数:3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5096FT

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.8dB, |S21e|2 = 7.5dB (f = 2 GHz)

文件:82.67 Kbytes 页数:1 Pages

TOSHIBA

东芝

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5096-R,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    10GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.4dB @ 1GHz

  • 增益:

    1.4dB

  • 功率 - 最大值:

    100mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 7mA,6V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    15mA

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-75,SOT-416

  • 供应商器件封装:

    SSM

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Toshiba Semiconductor and Stor
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更多2SC5096-R,LF供应商 更新时间2025-10-13 15:01:00