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2SC5030	文件：193.65 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBE FLASH, MUDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain : hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 250 (min) (VCE = 2 V, IC = 4 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) 文件：193.65 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5030	文件：146.24 Kbytes Page：5 Pages	Strobe Flash Applications 文件：146.24 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5030	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE STROBE FLASH AND MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC5030_04	文件：146.24 Kbytes Page：5 Pages	Strobe Flash Applications 文件：146.24 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC5030
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI_BETA_LO_SAT
封装形式：
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
50
htest：
150000000
atest：
5
wtest：
1.3

详细参数

型号：
2SC5030
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Strobe Flash Applications

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更多2SC5030供应商更新时间2026-4-17 14:02:00

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