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2SC5013分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SC5013

参数属性

2SC5013 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR

封装外壳

SC-82A,SOT-343

文件大小

190.31 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 18:53:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SC5013

  • 别名:

    2SC5013三极管、2SC5013晶体管、2SC5013晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    超高频/特高频 (UHF)_低噪放大 (ra)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    20V

  • 最大电流允许值:

    0.035A

  • 最大工作频率:

    10GHZ

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-17

  • vtest:

    20

  • htest:

    10000000000

  • atest:

    0.035

  • wtest:

    0

2SC5013规格书详情

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD

FEATURES

• High Gain Bandwidth Product (fT = 10 GHz TYP.)

• Low Noise, High Gain

• Low Voltage Operation

• 4-pin super minimold Package

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5013-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    10GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.8dB @ 2GHz

  • 增益:

    9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,6V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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