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2SC5013分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

2SC5013
厂商型号

2SC5013

参数属性

2SC5013 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343

封装外壳

SC-82A,SOT-343

文件大小

816.78 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 22:59:00

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2SC5013规格书详情

2SC5013属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的2SC5013晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

FEATURES

• High Gain Bandwidth Product (fT = 10 GHz TYP.)

• Low Noise, High Gain

• Low Voltage Operation

• 4-pin super minimold Package

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SC5013-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    10GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.8dB @ 2GHz

  • 增益:

    9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,6V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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