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2SC5012-T1
厂商型号

2SC5012-T1

参数属性

2SC5012-T1 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR

文件大小

189.87 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 13:37:00

2SC5012-T1规格书详情

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR

FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

4-PIN SUPER MINIMOLD

FEATURES

• High Gain Bandwidth Product (fT = 9 GHz TYP.)

• Low Noise, High Gain

• Low Voltage Operation

• 4-pin super minimold Package

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5012-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    9GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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