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2SC5013-T2	文件：52.81 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT= 10 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 文件：52.81 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5014	文件：49.63 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 12 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 文件：49.63 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5014-T1	文件：49.63 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 12 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 文件：49.63 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5014-T2	文件：49.63 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 12 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 文件：49.63 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5015	文件：51.41 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 12 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 文件：51.41 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5015	文件：182.73 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FEATURES • High fT: fT = 12 GHz TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz • Low noise and high gain • Low voltage operation • 4-pin super minimold (18) package 文件：182.73 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5015	文件：1.45509 Mbytes Page：7 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FEATURES • High fT: fT = 12 GHz TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz • Low noise and high gain • Low voltage operation • 4-pin super minimold (18) package 文件：1.45509 Mbytes 页数：7 Pages	CEL	CEL
2SC5015-T1	文件：182.73 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FEATURES • High fT: fT = 12 GHz TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz • Low noise and high gain • Low voltage operation • 4-pin super minimold (18) package 文件：182.73 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5015-T1	文件：51.41 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 12 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 文件：51.41 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5015-T2	文件：51.41 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 12 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 文件：51.41 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	2SC5009-T1	RENESAS	19+	SOT-423	54000		询价
深圳市佳杰伟业科技有限公司	2SC5009-T1	NEC	2406+	SOT423	3689	优势代理渠道,原装现货,可全系列订货	询价
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