Silicon NPN Triple Diffused

Features • High speed switching tf ≤ 0.6 µs • High breakdown voltage VCBO = 1700 V • Isolated package TO–3PFM Application TV / character display horizontal deflection output

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HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Power Bipolar Transistors

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Silicon NPN Triple Diffused

• High speed switching\n   tf ≤ 0.6 µs\n• High breakdown voltage\n   VCBO = 1700 V\n• Isolated package\n   TO–3PFM\n  \nApplication\n   TV / character display horizontal deflection output;

HITACHI

日立

SOT-323

Slkor(萨科微

上传：深圳市华康联电子科技有限公司

SOT143

RENESAS

瑞萨

上传：深圳市正纳电子有限公司