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2SC410	文件：39.6 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTOR POWERTRANSISTORS	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社
2SC4102	文件：59.94 Kbytes Page：1 Pages	High-voltage Amplifier Transistor(120V, 50mA) Features 1)Highbreakdownvoltage.(BVCEO=120V) 2)Complementsthe2SA1579/2SA1514K/2SA1038S.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
2SC4102	文件：46.8 Kbytes Page：1 Pages	High-voltage Amplifier Transistor Features ●Highbreakdownvoltage.(VCEO=120V)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SC4102	文件：468.98 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltage ●Complementsthe2SA1579	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司
2SC4102	文件：1.05944 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltage ●Complementsthe2SA1579	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC4102	文件：152.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●ExcellenthFElinearity. ●Powerdissipation:PCM=200mW APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC4102	文件：1.8923 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES HighBreakdownVoltage Complementsthe2SA1579	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SC4102W	文件：133.13 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●ExcellenthFElinearity. ●Powerdissipation:PCM=200mW APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC4104	文件：43.14 Kbytes Page：2 Pages	High-Definition CRT Display Applications? TransistorsforTVDisplayVideoOutputUse	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社
2SC4104	文件：183.52 Kbytes Page：3 Pages	Transistors for TV Display Video Output Use TransistorsforTVDisplayVideoOutputUse	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
UMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-323
JEITA Package：
SC-70
Package Size[mm]：
2.0x2.1(t=0.9)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.2
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
120.0
Collector current Io(Ic) [A]：
0.05
hFE：
180 to 560
hFE (Min.)：
180
hFE (Max.)：
560
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC41供应商更新时间2025-8-2 14:00:00

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