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2SC3825-251	文件：294.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 15(Min)@ IC=0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：294.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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