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2SC3799

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-BaseBreakdownVoltage-:V(BR)CBO=800V(Min.) •LowCollectorSaturationVoltage •HighSpeedSwitching APPLICATIONS •Designedforhighspeedswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多2SC3799D供应商 更新时间2024-5-24 14:30:00