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2SC3669L-X-TM3-T	文件：294.12 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS 文件：294.12 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
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2SC3669	文件：123.48 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS 文件：123.48 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC3669	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications 文件：140.72 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3669	文件：119.55 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage VCE(SAT)=0.5V (Max.) * High speed switching time: TSTG=1.0μs (Typ.) 文件：119.55 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

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更多2SC3669L供应商更新时间2025-10-9 11:10:00