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2SC3649S-TD-E	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3649S-TD-H	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3649S-TD-E	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3649S-TD-H	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3649S-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 1.5A PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3649S-TD-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 1.5A PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
2SC3649S-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS NPN 160V 1.5A PCP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SC3649S-TD-E	onsemi(安森美)	24+	SOT-89	1612	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC3649S-TD-E	ON/安森美	20+	SOT-89	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多2SC3649S供应商更新时间2025-12-25 18:10:00

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