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NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORAudioFrequencyAmplifier,Switching NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW–FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDSWITCHING FEATURES •HighhFE: hFE=1000to3200@VCE=5.0V,IC=1.0mA •LowVCE(sat): VCE(sat)=0.07VTYP.@IC/IB=50mA/5.0mA •HighVEBO: VEBO:12V(2SC3622) VEBO:15V(2SC3622A) | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
SILICONTRANSISTORS NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW–FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDSWITCHING FEATURES •HighhFE: hFE=1000to3200@VCE=5.0V,IC=1.0mA •LowVCE(sat): VCE(sat)=0.07VTYP.@IC/IB=50mA/5.0mA •HighVEBO: VEBO:12V(2SC3622) VEBO:15V(2SC3622A) | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORAudioFrequencyAmplifier,Switching NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW–FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDSWITCHING FEATURES •HighhFE: hFE=1000to3200@VCE=5.0V,IC=1.0mA •LowVCE(sat): VCE(sat)=0.07VTYP.@IC/IB=50mA/5.0mA •HighVEBO: VEBO:12V(2SC3622) VEBO:15V(2SC3622A) | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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