2SC3356-A分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC3356-A |
| 参数属性 | 2SC3356-A 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 |
| 功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
189.37 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 16:35:00 |
| 人工找货 | 2SC3356-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC3356-A规格书详情
NPN Silicon RF Transistor
NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold
* Low noise and high gain : NF = 1.1 dB TYP., Ga= 11 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz
* High power gain : MAG = 13 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 1 GHz
产品属性
- 产品编号：
2SC3356-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
- 增益：
11.5dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT23 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-23 |
60000 |
询价 | |||
UTC |
2021+ |
SOT23 |
15000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
UTC/友顺 |
25+ |
SOT-23-3 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
UTC(友顺) |
2447 |
SOT-23-3 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-23 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-23 |
7000 |
询价 | |||
CEL |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
UTC(友顺) |
25+ |
SOT-23-3 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
UTC |
25+ |
SOT-23-3 |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 |
