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2SC3356分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号	2SC3356
参数属性	2SC3356 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
功能描述	TRANSISTOR (NPN)
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	102.82 Kbytes
页面数量	1 页
生产厂商	HTSEMI
中文名称	金誉半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-16 8:49:00
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2SC3356规格书详情

FEATURES

Power dissipation

PCM: 0.2 W (Tamb=25℃)

Collector current

ICM: 0.1 A

Collector-base voltage

V(BR)CBO: 20 V

Operating and storage junction temperature range

TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

产品属性

产品编号：
2SC3356-T1B-R24-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
增益：
11.5dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

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