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2SC3356分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

2SC3356
厂商型号

2SC3356

参数属性

2SC3356 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

功能描述

NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

文件大小

1.74726 Mbytes

页面数量

9

生产厂商 California Eastern Laboratories
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Laboratories官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2024-4-27 23:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    2SC3356

  • 别名:

    2SC3356三极管、2SC3356晶体管、2SC3356晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    超高频/特高频 (UHF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    20V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    7GHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC3513,2SC3606,2SC3829,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    20

  • htest:

    7000000000

  • atest:

    .1

  • wtest:

    .2

2SC3356规格书详情

NPN Silicon RF Transistor

NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold

FEATURES

• Low noise and high gain : NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

• High power gain : MAG = 13 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz

2SC3356属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的2SC3356晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    2SC3356-T1B-R24-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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