2SC3326-A 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 Toshiba Semiconductor and Storage

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1+	面议

厂家型号：
2SC3326-A
产品分类：
芯片
生产厂商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
200
产品封装：
生产批号：
25+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-10-31 13:56:00

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原厂料号：2SC3326-A品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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2SC3326-A是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的2SC3326-A晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2SC3326-A,LFT
规格书：
下载下载2
企业简称：
TOSHIBA【东芝】详情
厂商全称：
Toshiba Semiconductor
中文名称：
株式会社东芝
内容页数：
5 页
文件大小：
583.63 kb
资料说明：
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

产品属性

类型
描述
产品编号：
2SC3326-A,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 3mA，30mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 4mA，2V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236
描述：
TRANS NPN 20V 0.3A TO236

供应商

企业：
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
林先生
手机：
18529516814
询价：
电话：
0755-83258002;83211465;83223169
传真：
0755-83617149
地址：
深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

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