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2SC2901	文件：159.49 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2901isdesignedforgeneralpurposeamplifierandhighspeedswitchingapplications. FEATURES ●HighFrequencyCurrentGain. ●HighSpeedSwitching. ●SmallOutputCapacitance.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC2902	文件：127.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highvoltage,highspeed APPLICATIONS ·Converters ·Inverters ·Switchingregulators ·Motorcontrols	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2902	文件：107.91 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highvoltage,highspeed APPLICATIONS ·Converters ·Inverters ·Switchingregulators ·Motorcontrols	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC2904	文件：132.68 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) DESCRIPTION 2SC2904isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistorspecificallydesignedforhighpoweramplifiersinHFband. APPLICATIONS OutputstageoftransmitterinHFbandSSBmobileradiosets.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
2SC2904	文件：33.99 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI2SC2904isasiliconepitaxialplanatypetransistordesignedforhighpoweramplifiersinHFband. FEATURES: •InternalInputMatchingNetwork •PG=11.5dBat1000W/30MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
2SC2905	文件：141.89 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) DESCRIPTION 2SC2905isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistorspecificallydesignedforhighpoweramplifiersapplicationsinUHFband. APPLICATION Foroutputstageof35-40WpoweramplifiersinUHFband.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
2SC2905	文件：18.54 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI2SC2905isdesignedforhighpoweramplifierapplicationsinUHFband. FEATURES: •EmitterBallastedconstruction. •PG=4.8dBat45W/520MHz •Omnigold™MetalizationSystem •CommonEmitter	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
2SC2908	文件：120.97 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(5.0A,100V,50W)	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
2SC2908	文件：223.69 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS •Foruseinpoweramplifierandswitchingcircuitsapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2908	文件：203.42 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS •Foruseinpoweramplifierandswitchingcircuitsapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC2909	文件：108.04 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching, AF 60W Predriver Applications High-VoltageSwitchingAF60WPredriverApplications Features •AdoptionofFBETprocess. •Highbreakdownvoltage. •ExcellentlinearityofhFEandsmallCob. •Fastswitchingspeed.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC2910	文件：107.96 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching, Audio 80W Output Predriver Applications 2SA1208-->PNP 2SC2910-->NPN High-VoltageSwitching Audio80WOutputPredriverApplications Features ·AdoptionofFBETprocess. ·Highbreakdownvoltage. ·ExcellentlinearityofhFEandsmallCob. ·Fastswtchingspeed.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC2911	文件：104.94 Kbytes Page：4 Pages	160V/140mA High-Voltage Switching AF 100W Predriver Applications 160V/140mAHigh-VoltageSwitchingandAF100WPredriverApplications Features •AdoptionofFBETprocess. •Highbreakdownvoltage. •GoodlinearityofhFEandsmallCob. •Fastswitchingspeed.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC2912	文件：274.44 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING, AF 150W PREDRIVER APPLICATIONS HighVoltageSwitching,AF150WpredriverApplications Features AdoptionofFBETprocess Highbreakdownvoltage GoodlinearityofhFEandsmallCob Fastswitchingspeed	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC2913	文件：117.8 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-66package •Highbreakdownvoltage •Fastswitchingspeed. •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forswitchingregulatorapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC2913	文件：128.4 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-66package •Highbreakdownvoltage •Fastswitchingspeed. •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forswitchingregulatorapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2914	文件：114.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highbreakdownvoltage ·Fastswitchingspeed. ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·Forswitchingregulatorapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC2914	文件：128.36 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highbreakdownvoltage ·Fastswitchingspeed. ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·Forswitchingregulatorapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2914	文件：488.68 Kbytes Page：2 Pages	SILCON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC2920	文件：116.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Highbreakdownvoltage •Fastswitchingspeed. •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forswitchingregulatorapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

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晶体管资料

型号：
2SC2902
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
800V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BUS13,BUS13(A),BUW45,BUW46,BUX48A,BUX48B,BUX48C,2SC3094,3DK309G,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
800
htest：
999900
atest：
15
wtest：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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