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2SC2981	文件：129.669 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=800V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max)@lc=2A •FastSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedforhigh-voltage,high-speedandhighpowerswitchingapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC2981	文件：128.34 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Highvoltatge •Highspeed APPLICATIONS •Forhighvoltatge,highspeedandpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2981	文件：115.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Highvoltatge •Highspeed APPLICATIONS •Forhighvoltatge,highspeedandpowerswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC2982	文件：172.44 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (STOROBO FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) StoroboFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgainandexcellentlinearity :hFE(1)=140to600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(min),140(typ.),(VCE=1V,IC=2A) •Lowsaturationvoltage :VCE(sat)=0.5V(max)(IC=2A,IB=50mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2982	文件：339.42 Kbytes Page：2 Pages	Medium Power Amplifier Applications ■Features ●Lowsaturationvoltage ●Smallflatpackage ●PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) ●Complementaryto2SA1314	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2983	文件：139.19 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER, DIRVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) PowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Hightransitionfrequency:fT=100MHz(typ.) •Complementaryto2SA1225	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2983	文件：39.64 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ●HighTransitonFrequency:Ft=100MHz(TYP.)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2983	文件：1.39618 Mbytes Page：3 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighTransitionFrequency	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC2983	文件：383.11 Kbytes Page：4 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •ExcellentlinearityofhFE •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Hightransistorfrequency	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2983	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2983-O	文件：632.31 Kbytes Page：4 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurrent-to-gaincharacteristics •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC2983-Y	文件：632.31 Kbytes Page：4 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurrent-to-gaincharacteristics •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC2987	文件：30.54 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR PNPSiliconEpitaxial/NPNSiliconTripleDiffusedTransistor AudioFrequencyPowerAmplifier	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2987	文件：96.01 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •Complementtotype2SA1227 •Highpowerdissipation APPLICATIONS •Foraudiofrequencypoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2987	文件：139.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •Complementtotype2SA1227 •Highpowerdissipation APPLICATIONS •Foraudiofrequencypoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC2987	文件：132.34 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage:V(BR)CEO=140V(Min) •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SA1227 APPLICATIONS •Foraudiofrequencypoweramplifierapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC2987A	文件：30.54 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR PNPSiliconEpitaxial/NPNSiliconTripleDiffusedTransistor AudioFrequencyPowerAmplifier	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2988	文件：251.19 Kbytes Page：1 Pages	Transistors (Selection Guide by Applications and Functions) ●HighSpeedSwitch•VCOandHighFrequencyType ●HighFrequencyAmplifiersandOthers ●HighFrequencySiliconTransistorsforTransmitters	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SC2981	文件：116.93 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC2982	文件：150.17 Kbytes Page：4 Pages	Storobo Flash Applications Medium Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
2SC2981
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
900V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BU526,BU536,BUV47A,BUW12A,2SC3061,2SC3153,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
900
htest：
999900
atest：
8
wtest：
100

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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