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2SC2881-O-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 0.8A SOT89	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2881	文件：146.5 Kbytes Page：4 Pages	VoltageAmplifierApplicationsPowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2881	文件：340.77 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighTransitionFrequency ●HighVoltage ●Complementaryto2SA1201 APPLICATIONS ●PowerAmplifierandVoltageAmplifier VCBOCollector-BaseVoltage120V VCEOCollector-EmitterVoltage120V VEBOEmitter-BaseVoltage5V ICCollectorCurrent800mA PCCo	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC2881	文件：357.4 Kbytes Page：2 Pages	VoltageAmplifierApplications Features ●HighVoltage:VCEO=120V ●HighTransitionFrequency:fT=120MHz(typ.) ●SmallFlatPackage ●Complementaryto2SA1201	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2881	文件：115.9 Kbytes Page：3 Pages	VOLTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS VOLTAGEAMPLIFIER APPLICATIONSPOWER AMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES Highvoltage:VCEO=120V Hightransitionfrequency:fT=120MHz(typ.) *Complementaryto2SA1201	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2881	文件：159.12 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) VoltageAmplifierApplications PowerAmplifierApplications •Highvoltage:VCEO=120V •Hightransitionfrequency:fT=120MHz(typ.) •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate) •Complementaryto2SA1201	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2881	文件：521.94 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●SmallFlatPackage ●HighTransitionFrequency ●HighVoltage ●Complementaryto2SA1201	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SC2881	文件：1.53757 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighTransitionFrequency ●HighVoltage ●Complementaryto2SA1201 APPLICATIONS ●PowerAmplifierandVoltageAmplifier	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC2881	文件：480.2 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES Highvoltage:VCEO=120V Hightransitionfrequency;fT=120MHz. PC=500mW. Complementsthe2SA1201. APPLICATIONS Powerandvoltageamplifierapplication.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC2881	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SC2881-O-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89
描述：
TRANS NPN 120V 0.8A SOT89

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