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2SC2881Y	文件：381.67 Kbytes Page：2 Pages	Voltage Amplifier Applications Features •HighVoltage:VCEO=120V •HighTransitionFrequency:fT=120MHz(typ.) •SmallFlatPackage •Complementaryto2SA1201	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC2881	文件：159.12 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) VoltageAmplifierApplications PowerAmplifierApplications •Highvoltage:VCEO=120V •Hightransitionfrequency:fT=120MHz(typ.) •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate) •Complementaryto2SA1201	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2881	文件：115.9 Kbytes Page：3 Pages	VOLTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS VOLTAGEAMPLIFIER APPLICATIONSPOWER AMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES Highvoltage:VCEO=120V Hightransitionfrequency:fT=120MHz(typ.) *Complementaryto2SA1201	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2881	文件：357.4 Kbytes Page：2 Pages	VoltageAmplifierApplications Features ●HighVoltage:VCEO=120V ●HighTransitionFrequency:fT=120MHz(typ.) ●SmallFlatPackage ●Complementaryto2SA1201	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2881	文件：340.77 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighTransitionFrequency ●HighVoltage ●Complementaryto2SA1201 APPLICATIONS ●PowerAmplifierandVoltageAmplifier VCBOCollector-BaseVoltage120V VCEOCollector-EmitterVoltage120V VEBOEmitter-BaseVoltage5V ICCollectorCurrent800mA PCCo	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC2881	文件：146.5 Kbytes Page：4 Pages	VoltageAmplifierApplicationsPowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2881	文件：521.94 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●SmallFlatPackage ●HighTransitionFrequency ●HighVoltage ●Complementaryto2SA1201	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SC2881	文件：1.53757 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighTransitionFrequency ●HighVoltage ●Complementaryto2SA1201 APPLICATIONS ●PowerAmplifierandVoltageAmplifier	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC2881	文件：141.39 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Highvoltage:VCEO=120V •Hightransitionfrequency;fT=120MHz. •PC=500mW. •Complementsthe2SA1201	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SC2881	文件：381.67 Kbytes Page：2 Pages	VoltageAmplifierApplications Features •HighVoltage:VCEO=120V •HighTransitionFrequency:fT=120MHz(typ.) •SmallFlatPackage •Complementaryto2SA1201	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC2881	文件：175.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltage:VCEO=120V ●Hightransitionfrequency;fT=120MHz. ●PC=500mW. ●Complementsthe2SA1201. APPLICATIONS ●Powerandvoltageamplifierapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC2881	文件：137.36 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:500mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:800mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:120V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC2881	文件：199.61 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighTransitionFrequency ●HighVoltage APPLICATIONS ●PowerAmplifierandVoltageAmplifier	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
2SC2881	文件：880.24 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Applications Poweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2881	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2881	文件：480.2 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES Highvoltage:VCEO=120V Hightransitionfrequency;fT=120MHz. PC=500mW. Complementsthe2SA1201. APPLICATIONS Powerandvoltageamplifierapplication.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC2881A	文件：881.16 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features HighfT,highVCEO,smallflatpackage,complementarypairwith2SA1201A. Applications Poweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2881O	文件：381.67 Kbytes Page：2 Pages	VoltageAmplifierApplications Features •HighVoltage:VCEO=120V •HighTransitionFrequency:fT=120MHz(typ.) •SmallFlatPackage •Complementaryto2SA1201	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC2881-O	文件：849.74 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2881-O	文件：521.94 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●SmallFlatPackage ●HighTransitionFrequency ●HighVoltage ●Complementaryto2SA1201	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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