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2SC2482-O	文件：159.2 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage:Vceo=300V • Small collector output capacitance:Cob=3.0pF(Typ) 文件：159.2 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SC2482-Y	文件：159.2 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage:Vceo=300V • Small collector output capacitance:Cob=3.0pF(Typ) 文件：159.2 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SC2483	文件：112.72 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE GENERAL AMPLIFIER APPLICATIONS. COLOR TV CLASS B SOUND OUTPUT APPLICATIONS. FEATURES: -Large Collector Current and Collector Power Dissipation Capability. (Pc=2.00 at Ta=25°C) -Complementary to 2SA1195 文件：112.72 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2484	文件：98.65 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXAL BASE VLESA TRANSISTOR 2SA1060 PNP 2SC2484 NPN 文件：98.65 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC2484	文件：248.46 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V(Min) ·High Power Dissipation ·Complement to Type 2SA1060 APPLICATIONS ·Designed for high power audio frequency amplifier applications 文件：248.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2485	文件：138.62 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SA1061 • High collector power dissipation APPLICATIONS • High power audio frequency amplifier 文件：138.62 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2485	文件：130.169 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SA1061 • High collector power dissipation APPLICATIONS • High power audio frequency amplifier 文件：130.169 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC2485	文件：102.38 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXAL BASE LESA TRANSISTOR SILICON EPITAXAL BASE VLESA TRANSISTOR High Power Audio Frequency Amplifier Complementary Pair with 2SC2485 Features: • High collector power dissipation: 70W(Tc=25 °C) 文件：102.38 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC2485	文件：134.75 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) • High Power Dissipation • Complement to Type 2SA1061 APPLICATIONS • Designed for high power audio frequency amplifier applications 文件：134.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2485	文件：139.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SA1061 • High collector power dissipation APPLICATIONS • High power audio frequency amplifier 文件：139.28 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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晶体管资料

型号：
2SC2486
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD245C,BD745C,2SD718,2SD896,2SD1046,3DA8D,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-35
vtest：
120
htest：
15000000
atest：
7
wtest：
80

详细参数

型号：
2SC248
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
SILICON EPITAXAL BASE LESA TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC248供应商更新时间2026-4-17 16:01:00

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