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2SC2278	文件：38.25 Kbytes Page：1 Pages	HIGH FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER TV VIDEO OUTPUT HIGH FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER TV VIODE OUTPUT 文件：38.25 Kbytes 页数：1 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC2281	文件：426.94 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR VHF Power Amplifier Industrial Use 文件：426.94 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2282	文件：426.94 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR VHF Power Amplifier Industrial Use 文件：426.94 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2287	文件：426.94 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR VHF Power Amplifier Industrial Use 文件：426.94 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2288	文件：426.94 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR VHF Power Amplifier Industrial Use 文件：426.94 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2289	文件：426.94 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR VHF Power Amplifier Industrial Use 文件：426.94 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2290	文件：140.37 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)(LOW SUPPLY VOLTAGE USE) 2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) ● Specified 12.5V, 28MHz Characteristics ● Output Power : Po = 60WPEP (Min.) ● Power Gain : Gp = 11.8dB (Min.) ● Collector Efficiency : ηC = 35 (Min.) ● Intermodulation Distortion : IMD = −30dB (Max.) 文件：140.37 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2290A	文件：197.41 Kbytes Page：3 Pages	2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) 2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) ● Specified 12.5V, 28MHz Characteristics ● Output Power : Po = 60WPEP (Min.) ● Power Gain : Gp = 11.8dB (Min.) ● Collector Efficiency : ηC = 35 (Min.) ● Intermodulation Distortion : IMD = −30dB (Max.) 文件：197.41 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2292	文件：218.49 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter SustainingVoltage- : VcEoisusr 400V (Min) • High Switching Speed APPLICATIONS • Power switching • Power amplification • Power driver 文件：218.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2292	文件：134.26 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter SustainingVoltage- : VcEoisusr 400V (Min) • High Switching Speed APPLICATIONS • Power switching • Power amplification • Power driver 文件：134.26 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
2SC22
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
HIGH FREQUENCY AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SC2223-T1B	NEC	25+	原装	32000	NEC全新特价2SC2223-T1B即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	2SC2223-T1B	RENESAS/瑞萨	24+	SOT-23	10000	只有原装	询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SC2223-T1B	MICROCHI	23+	SOT23-5	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SC2223-T1B	NEC	24+	SOT-23	24200	新进库存/原装	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	2SC2223-T1B	NEC	24+	SOT23-3	5000	原装现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	2SC2223-T1B	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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