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2SC2290A	文件：197.41 Kbytes Page：3 Pages	2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) 2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS (LOWSUPPLYVOLTAGEUSE) ●Specified12.5V,28MHzCharacteristics ●OutputPower:Po=60WPEP(Min.) ●PowerGain:Gp=11.8dB(Min.) ●CollectorEfficiency:ηC=35(Min.) ●IntermodulationDistortion:IMD=−30dB(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2290A	文件：192.11 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2290A_07	文件：192.11 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2290	文件：140.37 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)(LOWSUPPLYVOLTAGEUSE) 2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS (LOWSUPPLYVOLTAGEUSE) ●Specified12.5V,28MHzCharacteristics ●OutputPower:Po=60WPEP(Min.) ●PowerGain:Gp=11.8dB(Min.) ●CollectorEfficiency:ηC=35(Min.) ●IntermodulationDistortion:IMD=−30dB(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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